SJ 50033.29-1994 半导体分立器件EK20型砷化镓高速开关组件详细规范
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ID： |
BE5FE584E4B844059CC1CB038F69B41E |
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文件大小(MB)： |
0.34 |
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页数： |
8 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/29-94,半导体分立器件,EK20型珅化緣高速开关组件,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for GaAs high-speed switching,assembly for type EK20,1994-09-30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,EK20型珅化镇高速开关组件,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for GaAs high—speed switching,assembly for type EK20,SJ 50033/29-94,范围,1.1 主题内容,本规范规定了 EK20型珅化镇高速开关组件（以下简称器件）的详细要求.,1.2 适用范围,本规沱适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类.,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》L 3条的规定,提供的质量保证等级为普军和特军级,分别用字母GP和GT表示.,2引用文件,GB 6571-86小功率信号二极管稳压及基准电压二极管测试方法,GJB 33-85 半导体分立器件总规範,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端涂层,引出端表面应镀银.对引出端涂层另有要求时,应在合同或订货单中规定（见6. 3条）.,3.2.2 外形尺寸,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布 1994-12-01实施,一1 -,SJ 50033/29-94,外形尺寸速符合本规范的规定,见图1,3.3 最大额定值和主要电特性（Ta=25じ）,3.3.1 最大额定值,(V),%,⑺,九,（M）,Top,(C),10 10 15 一55—F125 -55—kl50,3.3.2 主要电特性,VF11,厶リ= 10mA,(V),7m = 10mA,(V),AVn,(Vfh-Yfsi),(V),VpiS,/ni=lmA',(V),ス,ル尸エmA,（V）,AV＞ぎ,(炉Fl广ドfG,(V),max max max max max max,1.0 L0 0. 05 0.8 0.8 G. 05,Jri As Clotl Ctot2 レ1 trcz,VK J10V VB = 10V る=w VR=0V 厶=10mA 7F = 10mA,/=lMHz /= 1MHz Vr = 6V Vr=GV,3 (pF) CpF) (ns) (ns),max max max max- max max,LO LG 0.4 仇4 0.4 0,4,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 657I及本规范的规定,3.5 标志,2 亠,SJ 50033/29^94,标志应符合GJB 33和本规范的规定,3. 5.I极性标志,极性标志如图1所示.,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33的规定.,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT级）,筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定.其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规,范表1极限值的器件应予剔除.,筛 选,见GJB 33表2,测试和试验,3热冲击除低温为ー55。、循环20次外,其余同试验条件B.,6高温反偏TA = 1251： Vk = 8V（单管）.,7中间电参数测试本规就裏1的2分组,8电老化，F=5mA % = 8丫 Ta=85^,9最后测试本规范表1的2分组:,AA?=初始值的10。%或0.%A,取较大者;,Mg =初始值的100%或。,ヵA,取較大者,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GjB 33的规定,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范中表1的规定进行.,4.4-2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范中表2的规定进行.,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范中表3的规定进行O,4.5检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应表的规定,—3,SJ 50033/29-94,表1 A组检验,检验或成驗,..,GB6571,LTPD 符号,极限值,単位,方 法条 件最小值最大值,A1分组,外观及机械检验GJB 128,2071,5,A2分组,正向电压2 1.2 Jpn - 10mA,5,Vfu 1 0 V,イ阳=10mA ^F21 L0 V,Jpi2 = 1mA ヘエ0.8 V,- 1mA ド理? 0 8 V,正向电压差2 1 2 △炉Fl 0 05 V,（Vf!之一AVra 0.05 V,反向电流2 1 1 VR=10V ，R2 1 0 停,Vr= 10V Jr： 1.0 pA,A3分组,高温工作T 尸 125c,VR=10V,5,10 蒔,反向电流2 1 1 31GV Jr2 10 得,A4分阻,反向恢复时闾2 14 2 10mA Vr = 6V,5,%,J,0 4 ns,WmA Vr = 6V 5 0.4 ns,电容2 1 3 /=1MHz VH = OV Ctoti 〇 4 pF,/= IMHs VK = 0V c0 0 4 pF,表2 B组检验,检验或试脸,GJB 1……
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